大功率直流穩壓電(diàn)源降低功耗的技(jì )術方法

　　目前大多(duō)數開關電(diàn)源由額定負載轉入輕載和待機狀态時，電(diàn)源效率急劇下降，待機效率不能(néng)滿足要求。這就給電(diàn)源設計工(gōng)程師們提出了新(xīn)的挑戰。

　　
       開關電(diàn)源功耗分(fēn)析

　　要減小(xiǎo)開關電(diàn)源待機損耗，提高待機效率，首先要分(fēn)析開關電(diàn)源損耗的構成。以反激式電(diàn)源為(wèi)例，其工(gōng)作(zuò)損耗主要表現為(wèi)：MOSFET導通損耗MOSFET導通損耗

　　在待機狀态，主電(diàn)路電(diàn)流較小(xiǎo)，MOSFET導通時間ton很(hěn)小(xiǎo)，電(diàn)路工(gōng)作(zuò)在DCM模式，故相關的導通損耗，次級整流管損耗等較小(xiǎo)，此時損耗主要由寄生電(diàn)容損耗和開關交疊損耗和啓動電(diàn)阻損耗構成。

　　開關交疊損耗，PWM控制器及其啓動電(diàn)阻損耗，輸出整流管損耗，箝位保護電(diàn)路損耗，反饋電(diàn)路損耗等。其中(zhōng)前三個損耗與頻率成正比關系，即與單位時間内器件開關次數成正比。

　　提高開關電(diàn)源待機效率的方法

　　根據損耗分(fēn)析可(kě)知，切斷啓動電(diàn)阻，降低開關頻率，減小(xiǎo)開關次數可(kě)減小(xiǎo)待機損耗，提高待機效率。具(jù)體(tǐ)的方法有(yǒu)：降低時鍾頻率;由高頻工(gōng)作(zuò)模式切換至低頻工(gōng)作(zuò)模式，如準諧振模式（QuasiResonant，QR）切換至脈寬調制（PulseWidthModulation，PWM），脈寬調制切換至脈沖頻率調制（PulseFrequencyModulation，PFM）;可(kě)控脈沖模式（BurstMode）。
　
  　切斷啓動電(diàn)阻

 　對于反激式電(diàn)源，啓動後控制芯片由輔助繞組供電(diàn)，啓動電(diàn)阻上壓降為(wèi)300V左右。設啓動電(diàn)阻取值為(wèi)47kΩ，消耗功率将近2W。要改善待機效率，必須在啓動後将該電(diàn)阻通道切斷。TOPSWITCH，ICE2DS02G内部設有(yǒu)專門的啓動電(diàn)路，可(kě)在啓動後關閉該電(diàn)阻。若控制器沒有(yǒu)專門啓動電(diàn)路，也可(kě)在啓動電(diàn)阻串接電(diàn)容，其啓動後的損耗可(kě)逐漸下降至零。缺點是電(diàn)源不能(néng)自重啓，隻有(yǒu)斷開輸入電(diàn)壓，使電(diàn)容放電(diàn)後才能(néng)再次啓動電(diàn)路。